أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND
أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND

مرحباً بك عزيزي الزائر علي موقع الأقتصادي، أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، حيث نسعي جاهدين ان نكون عند حسن متابعتك لموقعنا، سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، عزيزي الزائر، موقع الأقتصادي هو موقع إخباري شامل يضم أحدث المستجدات علي الساحة العربية والدولية ،أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، حيث نقوم بالبحث عن أهم وأخر الأخبار من كافة المواقع والوكالات الأخبارية، أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، لنقوم بعرضها علي موقعنا، سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، وحتي يتسني لك أن تتابع كل ما هو جديد في عالم الأخبار .

الأربعاء 11 يوليو 2018 11:45 صباحاً ـ الأقتصادي ـ كانت شركة سامسونج رائدة في مجال تصنيع رقاقات ذاكرة التخزين منذ سنوات، وقد أعلنت الشركة الكورية الجنوبية اليوم أنها بدأت عملية إنتاج الجيل التالي من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND. هذا هو الجيل الخامس من هذه التكنولوجيا والميزة الرئيسية هنا هي إعتماد واجهة Toggle DDR 4.0 NAND.

الجيل الخامس من تكنولوجيا V-NAND تسمح بسرعة نقل أسرع بنسبة 40 في المئة بين ذاكرة التخزين التخزينية والذاكرة العشوائية مقارنة مع الجيل الرابع من نفس التكنولوجيا لتصل سرعة النقل الآن إلى 1.4 جيجابت في الثانية. ولكن إلى جانب الأداء الأفضل، فإن رقاقة ذاكرة التخزين الجديدة توفر كفاءة أفضل في إستهلاك الطاقة من خلال تقليص القدرة الطاقية من 1.8 فولت إلى 1.2 فولت.

يتم تصنيع الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND على نحو مشابه للأجيال السابقة ولكن بدلا من دمج 64 طبقة، فهي تأتي مع 90 طبقة تكون مكدسة في هيكل شبيه بالهرم مع ثقوب مجهرية في المنتصف. تعمل هذه الثقوب كقنوات وهي عريضة بنحو بضع مئات فقط من النانومترات لإحتواء أكثر من 85 مليار خلية CTF تخزن كل منها ثلاثة أجزاء من البيانات.

هذا أدى إلى تحسن ملحوظ في سرعة الكتابة بنسبة 30 في المئة بالمقارنة مع الجيل السابق. زمن الإستجابة لقراءة الإشارات إنخفض أيضًا إلى 50μs. ومن المحتمل أن تشق رقاقات ذاكرة التخزين الجديدة التي تبلغ سعتها 256GB طريقها إلى عدد من أجهزة سامسونج القادمة في المستقبل، بما في ذلك هواتفها الذكية الرائدة.

 

نشكركم علي حسن متابعتانا، أخبار التقنية : سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND، لا تنسي الأعجاب بصفحات مواقع التواصل الأجتماعي الخاصة بالموقع، لتصلكم أخر الأخبار السياسية والأقصادية والرياضية والفنية أولاً بأول من موقع الأقتصادي، سامسونج بدأت رسميًا عملية إنتاج الجيل الخامس من رقاقات ذاكرة التخزين V-NAND .

المصدر : إلكتروني